GT50JR22 TO-3P 50A 600V 230W N-chanal ORIGINAL
.jpg)
Описание
Trans IGBT Chip N-CH 600V 50A 230000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Magazine
Технические параметры
| Технология/семейство | Gen 6.5 | |
| Наличие встроенного диода | Да | |
| Максимальное напряжение КЭ ,В | 600 | |
| Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 50 | |
| Импульсный ток коллектора (Icm), А | 100 | |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 1.55 | |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 230 | |
| Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс | 250 | |
| Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 330 | |
| Рабочая температура (Tj), °C | -55...+175 | |
| Корпус | TO-3P(N) | |
| Вес, г | 6.5 |
Цена: 230 р.